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SiHG20N50C
Vishay Siliconix
10 5
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C iss = C gs + C gd , C ds Shorted
C rss = C gd
1000
Operation in this area limited
by R DS(on)
10 4
C oss = C ds + C gd
C iss
100
10 3
10
100 μs
1 ms
10 2
C oss
1
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
10 ms
Single Pulse
10
C rss
0.1
1
10
100
1000
10
100
1000
10 000
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
20
16
I D = 17 A
V DS = 400 V
V DS = 250 V
V DS = 100 V
20
15
12
10
8
5
4
0
0
0
30
60
90
120
25
50
75
100
125
150
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
100
T C , Case Temperature (°C)
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
10
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
V GS = 0 V
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
www.vishay.com
4
Document Number: 91382
S11-0440-Rev. C, 14-Mar-11
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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